Yn ddiweddar, mae'r offer stripio laser cwbl awtomatig domestig cyntaf 8- modfedd SiC ingot a ddatblygwyd yn annibynnol gan Jiangsu General Semiconductor Co., Ltd., wedi'i ddosbarthu'n swyddogol i Guangzhou Nansha Wafer Semiconductor Technology Co, Ltd, menter flaenllaw yn y maes o gynhyrchu swbstrad SiC, a'i roi ar waith.
Gall yr offer wireddu sleisio cwbl awtomatig o ingotau SiC 6-modfedd a 8-modfedd, gan gynnwys llwytho ingotau, malu ingotau, torri laser, gwahanu wafferi a chasglu wafferi. Mae ei gynhyrchiad diwydiannol wedi llenwi bwlch y farchnad ym maes ymchwil a datblygu a gweithgynhyrchu offer stripio laser ingot SiC yn Tsieina, gan dorri trwy'r blocâd technoleg dramor, gan wella'n fawr lefel annibyniaeth a diwydiannu diwydiant sglodion SiC fy ngwlad, a darparu gwarant gadarn ar gyfer diogelwch a sefydlogrwydd cadwyn gyflenwi cadwyn diwydiant cylched integredig fy ngwlad.
Gall yr offer dynnu 20,000 o swbstradau SiC y flwyddyn, gan sicrhau cynnyrch o fwy na 95%. O'i gymharu â'r broses dorri gwifren draddodiadol, mae'n lleihau colli cynnyrch yn fawr, a dim ond 1/3 o gynhyrchion tramor tebyg yw pris yr offer.
